Home → 製品紹介 → Silicon パ―ト 半導体素子の材料として広く使われているシリコン(Silicon)は、酸化物であるSiO2の形で砂、岩石、鉱石などに豊富に存在しており、安定的に半導体産業に供給できる優れた材料です。 シリコンは、精製過程を経て99.9999…%の超高純度の単結晶構造を持っており、温度変化に伴う物理的かつ機械的な性質変化が少なく、比較的に高温(約 200℃位まで)においても素子が動作するなど、強力な耐久性、高機能性、高信頼性を有しています。 現在、半導体産業で様々な形で利用されており、シリコンを利用して製造された部品などは各種の電子製品、事業自動化機械、コンピューター、人工衛星など、今時のあらゆる産業分野に影響を及ぼしています。 超高純度の単結晶構造を有する。 シロキサン(ケイ素－酸素)鎖は、炭素－酸素の結合エネルギーより遥かに強いので、温度の変化に伴う物理的・機械的な性質変化が少ないという長所をもっており、比較的高温(約200℃位まで)でも素子が動作できる。 資源が豊富である。 Siliconは、地球上でも酸素の次に多く存在する元素である。 高純度化しやすい。 単結晶化と不純物の添加量を調整することで、低効率が制御しやすい。 区分 内容 品質 - 検/校正された最先端の測定装備の利用による最上の製品供給 - 1000CLASS以上のCLASS ROOMでの最終洗浄による不良率の最少化 技術 - 超精密マシニングセンターを利用した自動化生産 - ラッピング、ポリシング、エッチング分野で独歩的な加工技術力の確保。 価格 - シリコンインゴット素材の需給による原価競争力の確保 - インゴットスライススリップ技術保有による原価節減要因の発生 ソルミックスは、ラッピング、ポリシング、エッチング分野での独歩的な技術力を基に、 国内のSi Spare Partの中、Ring Typeの相当な部分を生産しています。 シリコン(Ｓｉ)の加工のための主な技術 技術名 技術内容 エッチング 技術 シリコンは他の無機材料とは違って他の加工上の特性、即ち、表面加工をすればするほど、表面を不純物が拡散される特性がある。 これは、表面加工の際に、道具とシリコン表面間の摩擦による熱のせいで生じる鉄分の反応層を無くしてくれるエッチング技術である。 ポリシング 技術 シリコンの表面を鏡面に加工する技術。 シリコン(Ｓｉ)パートの主な製品 品名 製品の用途及び説明 *Si Focus Ring プラズマの形成後にチャンバー(Chamber)内でプラズマを正確な位置に集める役割をする。 *Si Edge Ring Waferを正確に位置させる(Align)役割と、Si Focus Ringの補助機能を遂行してプラズマを安定化させる役割をする。 *硅电极 Si Waferの表面に各種のガスを一定に噴射させるウェーハ表面処理の役割をする製品である。 *其他主要产品 Si Source Ring, Si Inner Ring, Si Slab, Si Heat Shield..etc Purity % 純度 99.99999999999 Non-dope Bulk Density [g/cc] 密度 2.33 Vickers Hardness [GPa] Load0.5Kg HVI-9.807N ビッカース硬度 10.2 Bending Strength [MPa] 曲げ強さ ~300 Compressive Strength [Mpa] 圧縮強度 481~549 Youngs Modulus [Gpa] ヤング率 190 Poissons Ratio ポアソン比 0.27 Thermal Conductivity [W/mK] 熱伝導RT 157 Thermal Expansion [x10-6/°C] 熱膨張係数 3.9 Heat Shock Strength [△T°C] 耐熱衝撃   Specific Heat [RT] (J/kg.K) 比熱 0.7 x 103 Max Useable Temperature [°C] 使用温度 1300 Volume Resistivity [Ω. ㎝] 体積抵抗率 2.3 x 105 Dielectric Strength [V/m] 絶縁破壊強度 30x 106 Dielectric Constant [25°C 1MHZ] 誘電常数