Home → 製品紹介 → Si-SiC シリコンカーバイド(Si-SiC)は、LP-CVDの工程に利用されている既存のシリコンや石英素材に比べ、熱伝導性と耐食性、耐化学性に優れるとともに、熱膨張率が低いので、使用しても破損の可能性が低い化合物素材です。 高純度のSi-SiC 治具類は、1,200℃以上の高温条件においても安定するので、半導体の拡散工程及び常圧CVD、LP-CVD工程において品質及び効率向上に大きく貢献できると期待されています。 微細組織の制御技術及び高靭性炭化ケイ素は、産業用・構造用の炭化ケイ素の部品である切削工具、メカニカルシール、高温、スプリング、エンジン部品などに多いに利用できるので、現在も活発な研究開発を通じて実際の部品製造の応用できるよう、取り組んでいます。 化学的な性質 単価ケイ素は、化学的に極めて安定な化合物で、HCI, HF, H2, H2SO4, NaOHなどの溶液に侵食されません。 電気的かつ機械的な性質 純粋な単価ケイ素の単結晶は、常温では絶縁体であるが、不純物の種類や量によって性質が大きく異なります。 CVD-SiC コーティング製品 SiCの表面にCVDコーティングをするとき、表面の膜がより緻密になるので、不純物元素の拡散の放出を防ぎ、ほとんどの酸性溶液に対し、耐食性が増加されます。 BOAT類 熱酸化膜の拡散CVD工程において、ウェーハを次の工程に移送できるような形をした製品 TUBE 熱酸化膜の拡散CVD工程において、Boat類の製品を巻く製品。 CAP Si-SiCを受けている製品で、内部の熱損失がないように保温の役割をしてくれる製品。 その他の生産製品 Ring Typeに各種半導体用の治具類 Purity % 純度 99.99 Bulk Density [g/cc] 密度 3.02 Vickers Hardness [GPa] Load0.5Kg HVI-9.807N ビッカース硬度 21~22 Bending Strength [MPa] 曲げ強さ 250 Compressive Strength [Mpa] 圧縮強度 2700 Youngs Modulus [Gpa] ヤング率 270 Poissons Ratio ポアソン比 0.24 Thermal Conductivity [W/mK] 熱伝導RT 175 Thermal Expansion [x10-6/°C] 熱膨張係数 4.3 Heat Shock Strength [△T°C] 耐熱衝撃 400 Specific Heat [RT] (J/kg.K) 比熱 0.68 Max Useable Temperature [°C] 使用温度 1300 Volume Resistivity [Ω. ㎝] 体積抵抗率 10-1 Dielectric Strength [V/m] 絶縁破壊強度 35 X 106 Dielectric Constant [25°C 1MHZ] 誘電常数 2.7