Home → 产品介绍 → Si-SiC 碳化硅(Si-SiC)与在LP-CVD工程上使用的现有的硅或石英材料相比，热传导性、耐腐蚀性、耐化学性好，热膨胀率低，即使长时间使用，担心破损的忧虑较少的化合物材料。 高纯度碳化硅夹具类在1,200℃以上的高温条件下也很稳定，因此，有望在半导体扩散工程及常压CVD、LP-CVD工程上，可大幅提高质量及效率。 微细组织控制技术及高韧性碳化硅可开发为产业用及结构用碳化硅配件切削工具、机械密封、高温、弹簧、发动机配件等，目前通过活跃的研究开发，为应用于实际配件制造而不断努力。 化学性质 碳化硅是化学上非常稳定的化合物，不被HCI、HF、H2、H2SO4、NaOH等溶液侵蚀。 电、机械性质 纯碳化硅单晶体在常温下属于绝缘体，但根据不纯物的种类或量，其性质大为改变。 CVD-SiC 涂层产品 在碳化硅表面进行CVD涂层时，表面的膜变得更加致密，防止不纯物元素的扩散释放，对大部分的酸性溶液增加耐腐蚀性。 BOAT类 在热氧化膜扩散CVD工程中，将晶片传送到下一工程的容器状产品 TUBE 在热氧化膜扩散CVD工程中，包容Boat类的产品 CAP 作为支撑碳化硅的产品，为防止内部的热损失，起到保温作用的产品 其他生产产品 Ring Type的各种半导体用夹具类产品 Purity % 纯度 99.99 Bulk Density [g/cc] 密度 3.02 Vickers Hardness [GPa] Load0.5Kg HVI-9.807N 维氏硬度 21~22 Bending Strength [MPa] 弯曲强度 250 Compressive Strength [Mpa] 压缩强度 2700 Youngs Modulus [Gpa] 弹性模量 270 Poissons Ratio 泊桑比 0.24 Thermal Conductivity [W/mK] 热传导RT 175 Thermal Expansion [x10-6/°C] 热膨胀系数 4.3 Heat Shock Strength [△T°C] 抗热冲击 400 Specific Heat [RT] (J/kg.K) 比热 0.68 Max Useable Temperature [°C] 使用温度 1300 Volume Resistivity [Ω. ㎝] 体积电阻系数 10-1 Dielectric Strength [V/m] 绝缘强度 35 X 106 Dielectric Constant [25°C 1MHZ] 介电常数 2.7